A2G35S200-01SR3

Выява для даведкі, калі ласка, звяжыцеся з намі, каб атрымаць рэальную карціну

Частка вытворцы	A2G35S200-01SR3
Вытворца	NXP Semiconductors
Апісанне	AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR
Катэгорыя	дыскрэтныя паўправадніковыя вырабы
Сям'я	транзістары - феты, мосфеты - вч
Жыццёвы цыкл:	New from this manufacturer.
Дастаўка:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Аплата	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Тэхнічны ліст	A2G35S200-01SR3 PDF

Даступнасць

InStock	182
Цана за адзінку	$ 264.51000

A2G35S200-01SR3 Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

A2G35S200-01SR3 Тэхнічныя характарыстыкі

Тып	Апісанне
серыял:	-
пакет:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус часткі:	Active
транзістарнага тыпу:	GaN HEMT
частата:	3.4GHz ~ 3.6GHz
атрымаць:	16.1dB
напружанне - тэст:	48 V
намінальны ток (ампер):	-
паказчык шуму:	-
ток - тэст:	291 mA
магутнасць - выхад:	180W
напружанне - намінальнае:	125 V
пакет / чахол:	NI-400S-2S
пакет прылады пастаўшчыка:	NI-400S-2S

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.