NTJD1155LT1G

Выява для даведкі, калі ласка, звяжыцеся з намі, каб атрымаць рэальную карціну

Частка вытворцы	NTJD1155LT1G
Вытворца	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Апісанне	MOSFET N/P-CH 8V 1.3A SOT363
Катэгорыя	дыскрэтныя паўправадніковыя вырабы
Сям'я	транзістары - феты, мосфеты - масівы
Жыццёвы цыкл:	New from this manufacturer.
Дастаўка:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Аплата	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Тэхнічны ліст	NTJD1155LT1G PDF

Даступнасць

InStock	782 590
Цана за адзінку	$ 0.44000

NTJD1155LT1G Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

NTJD1155LT1G Тэхнічныя характарыстыкі

Тып	Апісанне
серыял:	-
пакет:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус часткі:	Active
фет тыпу:	N and P-Channel
асаблівасць fet:	Standard
напружанне ад выхаду да крыніцы (vdss):	8V
ток - бесперапынны сцёк (ід) пры 25°c:	1.3A
rds на (макс.) @ id, vgs:	175mOhm @ 1.2A, 4.5V
vgs(th) (макс.) @ id:	1V @ 250µA
зарад затвора (qg) (макс.) @ vgs:	-
уваходная ёмістасць (СНПЧ) (макс.) @ vds:	-
магутнасць - макс:	400mW
Працоўная тэмпература:	-55°C ~ 150°C (TJ)
тып мантажу:	Surface Mount
пакет / чахол:	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
пакет прылады пастаўшчыка:	SC-88/SC70-6/SOT-363

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.