EFC6602R-TR

Выява для даведкі, калі ласка, звяжыцеся з намі, каб атрымаць рэальную карціну

Частка вытворцы	EFC6602R-TR
Вытворца	Rochester Electronics
Апісанне	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
Катэгорыя	дыскрэтныя паўправадніковыя вырабы
Сям'я	транзістары - феты, мосфеты - масівы
Жыццёвы цыкл:	New from this manufacturer.
Дастаўка:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Аплата	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Тэхнічны ліст	EFC6602R-TR PDF

Даступнасць

InStock	130 439
Цана за адзінку	$ 0.23000

EFC6602R-TR Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

EFC6602R-TR Тэхнічныя характарыстыкі

Тып	Апісанне
серыял:	-
пакет:	Bulk
статус часткі:	Active
фет тыпу:	2 N-Channel (Dual) Common Drain
асаблівасць fet:	Logic Level Gate, 2.5V Drive
напружанне ад выхаду да крыніцы (vdss):	12V
ток - бесперапынны сцёк (ід) пры 25°c:	18A (Ta)
rds на (макс.) @ id, vgs:	5.9mOhm @ 3A, 4.5V
vgs(th) (макс.) @ id:	1.3V @ 1mA
зарад затвора (qg) (макс.) @ vgs:	55nC @ 4.5V
уваходная ёмістасць (СНПЧ) (макс.) @ vds:	-
магутнасць - макс:	2W (Ta)
Працоўная тэмпература:	150°C (TJ)
тып мантажу:	Surface Mount
пакет / чахол:	6-XFBGA, WLCSP
пакет прылады пастаўшчыка:	6-WLCSP (1.81x2.7)

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.