FF8MR12W2M1B11BOMA1

Выява для даведкі, калі ласка, звяжыцеся з намі, каб атрымаць рэальную карціну

Частка вытворцы	FF8MR12W2M1B11BOMA1
Вытворца	IR (Infineon Technologies)
Апісанне	MOSFET 2N-CH 1200V AG-EASY2BM-2
Катэгорыя	дыскрэтныя паўправадніковыя вырабы
Сям'я	транзістары - феты, мосфеты - масівы
Жыццёвы цыкл:	New from this manufacturer.
Дастаўка:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Аплата	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Тэхнічны ліст	FF8MR12W2M1B11BOMA1 PDF

Даступнасць

InStock	45
Цана за адзінку	$ 248.29000

FF8MR12W2M1B11BOMA1 Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

FF8MR12W2M1B11BOMA1 Тэхнічныя характарыстыкі

Тып	Апісанне
серыял:	CoolSiC™+
пакет:	Tray
статус часткі:	Active
фет тыпу:	2 N-Channel (Dual)
асаблівасць fet:	Silicon Carbide (SiC)
напружанне ад выхаду да крыніцы (vdss):	1200V
ток - бесперапынны сцёк (ід) пры 25°c:	150A (Tj)
rds на (макс.) @ id, vgs:	7.5mOhm @ 150A, 15V (Typ)
vgs(th) (макс.) @ id:	5.55V @ 60mA
зарад затвора (qg) (макс.) @ vgs:	372nC @ 15V
уваходная ёмістасць (СНПЧ) (макс.) @ vds:	11000pF @ 800V
магутнасць - макс:	20mW (Tc)
Працоўная тэмпература:	-40°C ~ 150°C (TJ)
тып мантажу:	Chassis Mount
пакет / чахол:	Module
пакет прылады пастаўшчыка:	AG-EASY2BM-2

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.