IRF8313TRPBF

Выява для даведкі, калі ласка, звяжыцеся з намі, каб атрымаць рэальную карціну

Частка вытворцы	IRF8313TRPBF
Вытворца	IR (Infineon Technologies)
Апісанне	MOSFET 2N-CH 30V 9.7A 8SO
Катэгорыя	дыскрэтныя паўправадніковыя вырабы
Сям'я	транзістары - феты, мосфеты - масівы
Жыццёвы цыкл:	New from this manufacturer.
Дастаўка:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Аплата	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Тэхнічны ліст	IRF8313TRPBF PDF

Даступнасць

InStock	11 990
Цана за адзінку	$ 0.71000

IRF8313TRPBF Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

IRF8313TRPBF Тэхнічныя характарыстыкі

Тып	Апісанне
серыял:	HEXFET®
пакет:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус часткі:	Not For New Designs
фет тыпу:	2 N-Channel (Dual)
асаблівасць fet:	Logic Level Gate
напружанне ад выхаду да крыніцы (vdss):	30V
ток - бесперапынны сцёк (ід) пры 25°c:	9.7A
rds на (макс.) @ id, vgs:	15.5mOhm @ 9.7A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:	2.35V @ 25µA
зарад затвора (qg) (макс.) @ vgs:	9nC @ 4.5V
уваходная ёмістасць (СНПЧ) (макс.) @ vds:	760pF @ 15V
магутнасць - макс:	2W
Працоўная тэмпература:	-55°C ~ 175°C (TJ)
тып мантажу:	Surface Mount
пакет / чахол:	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
пакет прылады пастаўшчыка:	8-SO

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.