BSM180D12P2C101

Выява для даведкі, калі ласка, звяжыцеся з намі, каб атрымаць рэальную карціну

Частка вытворцы	BSM180D12P2C101
Вытворца	ROHM Semiconductor
Апісанне	MOSFET 2N-CH 1200V 180A MODULE
Катэгорыя	дыскрэтныя паўправадніковыя вырабы
Сям'я	транзістары - феты, мосфеты - масівы
Жыццёвы цыкл:	New from this manufacturer.
Дастаўка:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Аплата	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Тэхнічны ліст	BSM180D12P2C101 PDF

Даступнасць

InStock	9
Цана за адзінку	$ 439.36000

BSM180D12P2C101 Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

BSM180D12P2C101 Тэхнічныя характарыстыкі

Тып	Апісанне
серыял:	-
пакет:	Bulk
статус часткі:	Active
фет тыпу:	2 N-Channel (Half Bridge)
асаблівасць fet:	Silicon Carbide (SiC)
напружанне ад выхаду да крыніцы (vdss):	1200V (1.2kV)
ток - бесперапынны сцёк (ід) пры 25°c:	204A (Tc)
rds на (макс.) @ id, vgs:	-
vgs(th) (макс.) @ id:	4V @ 35.2mA
зарад затвора (qg) (макс.) @ vgs:	-
уваходная ёмістасць (СНПЧ) (макс.) @ vds:	23000pF @ 10V
магутнасць - макс:	1130W
Працоўная тэмпература:	-40°C ~ 150°C (TJ)
тып мантажу:	-
пакет / чахол:	Module
пакет прылады пастаўшчыка:	Module

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.