IPG20N06S4L11ATMA2

Выява для даведкі, калі ласка, звяжыцеся з намі, каб атрымаць рэальную карціну

Частка вытворцы	IPG20N06S4L11ATMA2
Вытворца	IR (Infineon Technologies)
Апісанне	MOSFET_)40V 60V)
Катэгорыя	дыскрэтныя паўправадніковыя вырабы
Сям'я	транзістары - феты, мосфеты - масівы
Жыццёвы цыкл:	New from this manufacturer.
Дастаўка:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Аплата	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Тэхнічны ліст	IPG20N06S4L11ATMA2 PDF

Даступнасць

InStock	4 975
Цана за адзінку	$ 2.01000

IPG20N06S4L11ATMA2 Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

IPG20N06S4L11ATMA2 Тэхнічныя характарыстыкі

Тып	Апісанне
серыял:	Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
пакет:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус часткі:	Active
фет тыпу:	2 N-Channel (Dual)
асаблівасць fet:	Logic Level Gate
напружанне ад выхаду да крыніцы (vdss):	60V
ток - бесперапынны сцёк (ід) пры 25°c:	20A (Tc)
rds на (макс.) @ id, vgs:	11.2mOhm @ 17A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:	2.2V @ 28µA
зарад затвора (qg) (макс.) @ vgs:	53nC @ 10V
уваходная ёмістасць (СНПЧ) (макс.) @ vds:	4020pF @ 25V
магутнасць - макс:	65W (Tc)
Працоўная тэмпература:	-55°C ~ 175°C (TJ)
тып мантажу:	Surface Mount
пакет / чахол:	8-PowerVDFN
пакет прылады пастаўшчыка:	PG-TDSON-8-10

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.