CSD85312Q3E

Выява для даведкі, калі ласка, звяжыцеся з намі, каб атрымаць рэальную карціну

Частка вытворцы	CSD85312Q3E
Вытворца	Texas Instruments
Апісанне	MOSFET 2N-CH 20V 39A 8VSON
Катэгорыя	дыскрэтныя паўправадніковыя вырабы
Сям'я	транзістары - феты, мосфеты - масівы
Жыццёвы цыкл:	New from this manufacturer.
Дастаўка:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Аплата	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union

Даступнасць

InStock	3 607
Цана за адзінку	$ 0.99000

CSD85312Q3E Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

CSD85312Q3E Тэхнічныя характарыстыкі

Тып	Апісанне
серыял:	NexFET™
пакет:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус часткі:	Active
фет тыпу:	2 N-Channel (Dual) Common Source
асаблівасць fet:	Logic Level Gate, 5V Drive
напружанне ад выхаду да крыніцы (vdss):	20V
ток - бесперапынны сцёк (ід) пры 25°c:	39A
rds на (макс.) @ id, vgs:	12.4mOhm @ 10A, 8V
vgs(th) (макс.) @ id:	1.4V @ 250µA
зарад затвора (qg) (макс.) @ vgs:	15.2nC @ 4.5V
уваходная ёмістасць (СНПЧ) (макс.) @ vds:	2390pF @ 10V
магутнасць - макс:	2.5W
Працоўная тэмпература:	-55°C ~ 150°C (TJ)
тып мантажу:	Surface Mount
пакет / чахол:	8-PowerVDFN
пакет прылады пастаўшчыка:	8-VSON (3.3x3.3)

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.