EPC2107

Выява для даведкі, калі ласка, звяжыцеся з намі, каб атрымаць рэальную карціну

Частка вытворцы	EPC2107
Вытворца	EPC
Апісанне	GANFET 3 N-CH 100V 9BGA
Катэгорыя	дыскрэтныя паўправадніковыя вырабы
Сям'я	транзістары - феты, мосфеты - масівы
Жыццёвы цыкл:	New from this manufacturer.
Дастаўка:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Аплата	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Тэхнічны ліст	EPC2107 PDF

Даступнасць

InStock	1 407
Цана за адзінку	$ 2.01000

EPC2107 Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

EPC2107 Тэхнічныя характарыстыкі

Тып	Апісанне
серыял:	eGaN®
пакет:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус часткі:	Active
фет тыпу:	3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)
асаблівасць fet:	GaNFET (Gallium Nitride)
напружанне ад выхаду да крыніцы (vdss):	100V
ток - бесперапынны сцёк (ід) пры 25°c:	1.7A, 500mA
rds на (макс.) @ id, vgs:	320mOhm @ 2A, 5V, 3.3Ohm @ 2A, 5V
vgs(th) (макс.) @ id:	2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA
зарад затвора (qg) (макс.) @ vgs:	0.16nC @ 5V, 0.044nC @ 5V
уваходная ёмістасць (СНПЧ) (макс.) @ vds:	16pF @ 50V, 7pF @ 50V
магутнасць - макс:	-
Працоўная тэмпература:	-40°C ~ 150°C (TJ)
тып мантажу:	Surface Mount
пакет / чахол:	9-VFBGA
пакет прылады пастаўшчыка:	9-BGA (1.35x1.35)

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.