EPC2016C

Выява для даведкі, калі ласка, звяжыцеся з намі, каб атрымаць рэальную карціну

Частка вытворцы	EPC2016C
Вытворца	EPC
Апісанне	GANFET N-CH 100V 18A DIE
Катэгорыя	дыскрэтныя паўправадніковыя вырабы
Сям'я	транзістары - феты, мосфеты - адзінкавыя
Жыццёвы цыкл:	New from this manufacturer.
Дастаўка:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Аплата	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Тэхнічны ліст	EPC2016C PDF

Даступнасць

InStock	134 646
Цана за адзінку	$ 2.45000

EPC2016C Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

EPC2016C Тэхнічныя характарыстыкі

Тып	Апісанне
серыял:	eGaN®
пакет:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус часткі:	Active
фет тыпу:	N-Channel
тэхналогіі:	GaNFET (Gallium Nitride)
напружанне ад выхаду да крыніцы (vdss):	100 V
ток - бесперапынны сцёк (ід) пры 25°c:	18A (Ta)
напружанне прывада (макс. rds уключана, min rds уключана):	5V
rds на (макс.) @ id, vgs:	16mOhm @ 11A, 5V
vgs(th) (макс.) @ id:	2.5V @ 3mA
зарад затвора (qg) (макс.) @ vgs:	4.5 nC @ 5 V
vgs (макс.):	+6V, -4V
уваходная ёмістасць (СНПЧ) (макс.) @ vds:	420 pF @ 50 V
асаблівасць fet:	-
рассейваная магутнасць (макс.):	-
Працоўная тэмпература:	-40°C ~ 150°C (TJ)
тып мантажу:	Surface Mount
пакет прылады пастаўшчыка:	Die
пакет / чахол:	Die

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.