FQPF70N10

Выява для даведкі, калі ласка, звяжыцеся з намі, каб атрымаць рэальную карціну

Частка вытворцы	FQPF70N10
Вытворца	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Апісанне	MOSFET N-CH 100V 35A TO220F
Катэгорыя	дыскрэтныя паўправадніковыя вырабы
Сям'я	транзістары - феты, мосфеты - адзінкавыя
Жыццёвы цыкл:	New from this manufacturer.
Дастаўка:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Аплата	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Тэхнічны ліст	FQPF70N10 PDF

Даступнасць

InStock	147 210 000
Цана за адзінку	$ 2.59000

FQPF70N10 Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

FQPF70N10 Тэхнічныя характарыстыкі

Тып	Апісанне
серыял:	QFET®
пакет:	Tube
статус часткі:	Active
фет тыпу:	N-Channel
тэхналогіі:	MOSFET (Metal Oxide)
напружанне ад выхаду да крыніцы (vdss):	100 V
ток - бесперапынны сцёк (ід) пры 25°c:	35A (Tc)
напружанне прывада (макс. rds уключана, min rds уключана):	10V
rds на (макс.) @ id, vgs:	23mOhm @ 17.5A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:	4V @ 250µA
зарад затвора (qg) (макс.) @ vgs:	110 nC @ 10 V
vgs (макс.):	±25V
уваходная ёмістасць (СНПЧ) (макс.) @ vds:	3300 pF @ 25 V
асаблівасць fet:	-
рассейваная магутнасць (макс.):	62W (Tc)
Працоўная тэмпература:	-55°C ~ 175°C (TJ)
тып мантажу:	Through Hole
пакет прылады пастаўшчыка:	TO-220F
пакет / чахол:	TO-220-3 Full Pack

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.