RS1E150GNTB

Выява для даведкі, калі ласка, звяжыцеся з намі, каб атрымаць рэальную карціну

Частка вытворцы	RS1E150GNTB
Вытворца	ROHM Semiconductor
Апісанне	MOSFET N-CH 30V 15A 8HSOP
Катэгорыя	дыскрэтныя паўправадніковыя вырабы
Сям'я	транзістары - феты, мосфеты - адзінкавыя
Жыццёвы цыкл:	New from this manufacturer.
Дастаўка:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Аплата	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Тэхнічны ліст	RS1E150GNTB PDF

Даступнасць

InStock	1 949
Цана за адзінку	$ 0.62000

RS1E150GNTB Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

RS1E150GNTB Тэхнічныя характарыстыкі

Тып	Апісанне
серыял:	-
пакет:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус часткі:	Active
фет тыпу:	N-Channel
тэхналогіі:	MOSFET (Metal Oxide)
напружанне ад выхаду да крыніцы (vdss):	30 V
ток - бесперапынны сцёк (ід) пры 25°c:	15A (Ta)
напружанне прывада (макс. rds уключана, min rds уключана):	4.5V, 10V
rds на (макс.) @ id, vgs:	8.8mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:	2.5V @ 1mA
зарад затвора (qg) (макс.) @ vgs:	10 nC @ 10 V
vgs (макс.):	±20V
уваходная ёмістасць (СНПЧ) (макс.) @ vds:	590 pF @ 15 V
асаблівасць fet:	-
рассейваная магутнасць (макс.):	3W (Ta), 22.9W (Tc)
Працоўная тэмпература:	150°C (TJ)
тып мантажу:	Surface Mount
пакет прылады пастаўшчыка:	8-HSOP
пакет / чахол:	8-PowerTDFN

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.