FDFMA2P853T

Выява для даведкі, калі ласка, звяжыцеся з намі, каб атрымаць рэальную карціну

Частка вытворцы	FDFMA2P853T
Вытворца	Rochester Electronics
Апісанне	MOSFET P-CH 20V 3A MICROFET
Катэгорыя	дыскрэтныя паўправадніковыя вырабы
Сям'я	транзістары - феты, мосфеты - адзінкавыя
Жыццёвы цыкл:	New from this manufacturer.
Дастаўка:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Аплата	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Тэхнічны ліст	FDFMA2P853T PDF

Даступнасць

InStock	47 860
Цана за адзінку	$ 0.25000

FDFMA2P853T Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

FDFMA2P853T Тэхнічныя характарыстыкі

Тып	Апісанне
серыял:	PowerTrench®
пакет:	Bulk
статус часткі:	Obsolete
фет тыпу:	P-Channel
тэхналогіі:	MOSFET (Metal Oxide)
напружанне ад выхаду да крыніцы (vdss):	20 V
ток - бесперапынны сцёк (ід) пры 25°c:	3A (Ta)
напружанне прывада (макс. rds уключана, min rds уключана):	1.8V, 4.5V
rds на (макс.) @ id, vgs:	120mOhm @ 3A, 4.5V
vgs(th) (макс.) @ id:	1.3V @ 250µA
зарад затвора (qg) (макс.) @ vgs:	6 nC @ 4.5 V
vgs (макс.):	±8V
уваходная ёмістасць (СНПЧ) (макс.) @ vds:	435 pF @ 10 V
асаблівасць fet:	Schottky Diode (Isolated)
рассейваная магутнасць (макс.):	1.4W (Ta)
Працоўная тэмпература:	-55°C ~ 150°C (TJ)
тып мантажу:	Surface Mount
пакет прылады пастаўшчыка:	MicroFET 2x2 Thin
пакет / чахол:	6-UDFN Exposed Pad

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.