BSM400C12P3G202

Выява для даведкі, калі ласка, звяжыцеся з намі, каб атрымаць рэальную карціну

Частка вытворцы	BSM400C12P3G202
Вытворца	ROHM Semiconductor
Апісанне	SICFET N-CH 1200V 400A MODULE
Катэгорыя	дыскрэтныя паўправадніковыя вырабы
Сям'я	транзістары - феты, мосфеты - адзінкавыя
Жыццёвы цыкл:	New from this manufacturer.
Дастаўка:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Аплата	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union

Даступнасць

InStock	1
Цана за адзінку	$ 915.00000

BSM400C12P3G202 Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

BSM400C12P3G202 Тэхнічныя характарыстыкі

Тып	Апісанне
серыял:	-
пакет:	Tray
статус часткі:	Active
фет тыпу:	N-Channel
тэхналогіі:	SiCFET (Silicon Carbide)
напружанне ад выхаду да крыніцы (vdss):	1200 V
ток - бесперапынны сцёк (ід) пры 25°c:	400A (Tc)
напружанне прывада (макс. rds уключана, min rds уключана):	-
rds на (макс.) @ id, vgs:	-
vgs(th) (макс.) @ id:	5.6V @ 106.8mA
зарад затвора (qg) (макс.) @ vgs:	-
vgs (макс.):	+22V, -4V
уваходная ёмістасць (СНПЧ) (макс.) @ vds:	17000 pF @ 10 V
асаблівасць fet:	-
рассейваная магутнасць (макс.):	1570W (Tc)
Працоўная тэмпература:	175°C (TJ)
тып мантажу:	Chassis Mount
пакет прылады пастаўшчыка:	Module
пакет / чахол:	Module

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.