G2R120MT33J

Выява для даведкі, калі ласка, звяжыцеся з намі, каб атрымаць рэальную карціну

Частка вытворцы	G2R120MT33J
Вытворца	GeneSiC Semiconductor
Апісанне	SIC MOSFET N-CH TO263-7
Катэгорыя	дыскрэтныя паўправадніковыя вырабы
Сям'я	транзістары - феты, мосфеты - адзінкавыя
Жыццёвы цыкл:	New from this manufacturer.
Дастаўка:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Аплата	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Тэхнічны ліст	G2R120MT33J PDF

Даступнасць

InStock	82
Цана за адзінку	$ 95.63000

G2R120MT33J Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

G2R120MT33J Тэхнічныя характарыстыкі

Тып	Апісанне
серыял:	G2R™
пакет:	Tube
статус часткі:	Active
фет тыпу:	N-Channel
тэхналогіі:	SiCFET (Silicon Carbide)
напружанне ад выхаду да крыніцы (vdss):	3300 V
ток - бесперапынны сцёк (ід) пры 25°c:	35A
напружанне прывада (макс. rds уключана, min rds уключана):	20V
rds на (макс.) @ id, vgs:	156mOhm @ 20A, 20V
vgs(th) (макс.) @ id:	-
зарад затвора (qg) (макс.) @ vgs:	145 nC @ 20 V
vgs (макс.):	+25V, -10V
уваходная ёмістасць (СНПЧ) (макс.) @ vds:	3706 pF @ 1000 V
асаблівасць fet:	-
рассейваная магутнасць (макс.):	-
Працоўная тэмпература:	-55°C ~ 175°C (TJ)
тып мантажу:	Surface Mount
пакет прылады пастаўшчыка:	TO-263-7
пакет / чахол:	TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.