TP65H300G4LSG

Выява для даведкі, калі ласка, звяжыцеся з намі, каб атрымаць рэальную карціну

Частка вытворцы	TP65H300G4LSG
Вытворца	Transphorm
Апісанне	GANFET N-CH 650V 6.5A 3PQFN
Катэгорыя	дыскрэтныя паўправадніковыя вырабы
Сям'я	транзістары - феты, мосфеты - адзінкавыя
Жыццёвы цыкл:	New from this manufacturer.
Дастаўка:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Аплата	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Тэхнічны ліст	TP65H300G4LSG PDF

Даступнасць

InStock	240
Цана за адзінку	$ 4.02000

TP65H300G4LSG Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

TP65H300G4LSG Тэхнічныя характарыстыкі

Тып	Апісанне
серыял:	-
пакет:	Tray
статус часткі:	Active
фет тыпу:	N-Channel
тэхналогіі:	GaNFET (Gallium Nitride)
напружанне ад выхаду да крыніцы (vdss):	650 V
ток - бесперапынны сцёк (ід) пры 25°c:	6.5A (Tc)
напружанне прывада (макс. rds уключана, min rds уключана):	8V
rds на (макс.) @ id, vgs:	312mOhm @ 5A, 8V
vgs(th) (макс.) @ id:	2.6V @ 500µA
зарад затвора (qg) (макс.) @ vgs:	9.6 nC @ 8 V
vgs (макс.):	±18V
уваходная ёмістасць (СНПЧ) (макс.) @ vds:	760 pF @ 400 V
асаблівасць fet:	-
рассейваная магутнасць (макс.):	21W (Tc)
Працоўная тэмпература:	-55°C ~ 150°C (TJ)
тып мантажу:	Surface Mount
пакет прылады пастаўшчыка:	3-PQFN (8x8)
пакет / чахол:	3-PowerDFN

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.