HTNFET-D

Выява для даведкі, калі ласка, звяжыцеся з намі, каб атрымаць рэальную карціну

Частка вытворцы	HTNFET-D
Вытворца	Honeywell Aerospace
Апісанне	MOSFET N-CH 55V 8CDIP
Катэгорыя	дыскрэтныя паўправадніковыя вырабы
Сям'я	транзістары - феты, мосфеты - адзінкавыя
Жыццёвы цыкл:	New from this manufacturer.
Дастаўка:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Аплата	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Тэхнічны ліст	HTNFET-D PDF

Даступнасць

InStock	470 370
Цана за адзінку	$ 435.00000

HTNFET-D Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

HTNFET-D Тэхнічныя характарыстыкі

Тып	Апісанне
серыял:	HTMOS™
пакет:	Bulk
статус часткі:	Active
фет тыпу:	N-Channel
тэхналогіі:	MOSFET (Metal Oxide)
напружанне ад выхаду да крыніцы (vdss):	55 V
ток - бесперапынны сцёк (ід) пры 25°c:	-
напружанне прывада (макс. rds уключана, min rds уключана):	5V
rds на (макс.) @ id, vgs:	400mOhm @ 100mA, 5V
vgs(th) (макс.) @ id:	2.4V @ 100µA
зарад затвора (qg) (макс.) @ vgs:	4.3 nC @ 5 V
vgs (макс.):	10V
уваходная ёмістасць (СНПЧ) (макс.) @ vds:	290 pF @ 28 V
асаблівасць fet:	-
рассейваная магутнасць (макс.):	50W (Tj)
Працоўная тэмпература:	-55°C ~ 225°C (TJ)
тып мантажу:	Through Hole
пакет прылады пастаўшчыка:	8-CDIP-EP
пакет / чахол:	8-CDIP Exposed Pad

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.