HGTD1N120BNS9A

Выява для даведкі, калі ласка, звяжыцеся з намі, каб атрымаць рэальную карціну

Частка вытворцы	HGTD1N120BNS9A
Вытворца	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Апісанне	IGBT 1200V 5.3A 60W TO252AA
Катэгорыя	дыскрэтныя паўправадніковыя вырабы
Сям'я	транзістары - igbts - адзінкавыя
Жыццёвы цыкл:	New from this manufacturer.
Дастаўка:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Аплата	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Тэхнічны ліст	HGTD1N120BNS9A PDF

Даступнасць

InStock	7 588
Цана за адзінку	$ 1.51000

HGTD1N120BNS9A Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

HGTD1N120BNS9A Тэхнічныя характарыстыкі

Тып	Апісанне
серыял:	-
пакет:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус часткі:	Active
тып igbt:	NPT
напружанне - прабой эмітэра калектара (макс.):	1200 V
ток - калектар (ic) (макс.):	5.3 A
ток - калектар імпульсны (icm):	6 A
vce(on) (макс.) @ vge, ic:	2.9V @ 15V, 1A
магутнасць - макс:	60 W
пераключэнне энергіі:	70µJ (on), 90µJ (off)
тып уводу:	Standard
зарад варот:	14 nC
td (укл./выкл.) пры 25°c:	15ns/67ns
стан выпрабаванняў:	960V, 1A, 82Ohm, 15V
час зваротнага аднаўлення (trr):	-
Працоўная тэмпература:	-55°C ~ 150°C (TJ)
тып мантажу:	Surface Mount
пакет / чахол:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
пакет прылады пастаўшчыка:	TO-252AA

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.