RN1911FETE85LF

Выява для даведкі, калі ласка, звяжыцеся з намі, каб атрымаць рэальную карціну

Частка вытворцы	RN1911FETE85LF
Вытворца	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Апісанне	TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
Катэгорыя	дыскрэтныя паўправадніковыя вырабы
Сям'я	транзістары - біпалярныя (bjt) - масівы, папярэдне зрушаныя
Жыццёвы цыкл:	New from this manufacturer.
Дастаўка:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Аплата	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Тэхнічны ліст	RN1911FETE85LF PDF

Даступнасць

InStock	3 645
Цана за адзінку	$ 0.38000

RN1911FETE85LF Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

RN1911FETE85LF Тэхнічныя характарыстыкі

Тып	Апісанне
серыял:	-
пакет:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус часткі:	Active
транзістарнага тыпу:	2 NPN - Pre-Biased (Dual)
ток - калектар (ic) (макс.):	100mA
напружанне - прабой эмітэра калектара (макс.):	50V
рэзістар - база (r1):	10kOhms
рэзістар - база эмітэра (r2):	-
узмацненне пастаяннага току (hfe) (мін) @ ic, vce:	120 @ 1mA, 5V
насычэнне vce (макс.) @ ib, ic:	300mV @ 250µA, 5mA
ток - адсечка калектара (макс.):	100nA (ICBO)
частата - пераход:	250MHz
магутнасць - макс:	100mW
тып мантажу:	Surface Mount
пакет / чахол:	SOT-563, SOT-666
пакет прылады пастаўшчыка:	ES6

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.