PMGD8000LN,115

Выява для даведкі, калі ласка, звяжыцеся з намі, каб атрымаць рэальную карціну

Частка вытворцы	PMGD8000LN,115
Вытворца	NXP Semiconductors
Апісанне	MOSFET 2N-CH 30V 0.125A 6TSSOP
Катэгорыя	дыскрэтныя паўправадніковыя вырабы
Сям'я	транзістары - феты, мосфеты - масівы
Жыццёвы цыкл:	New from this manufacturer.
Дастаўка:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Аплата	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Тэхнічны ліст	PMGD8000LN,115 PDF

Даступнасць

InStock	558 045
Цана за адзінку	$ 0.00000

PMGD8000LN,115 Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

PMGD8000LN,115 Тэхнічныя характарыстыкі

Тып	Апісанне
серыял:	TrenchMOS™
пакет:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус часткі:	Obsolete
фет тыпу:	2 N-Channel (Dual)
асаблівасць fet:	Logic Level Gate
напружанне ад выхаду да крыніцы (vdss):	30V
ток - бесперапынны сцёк (ід) пры 25°c:	125mA
rds на (макс.) @ id, vgs:	8Ohm @ 10mA, 4V
vgs(th) (макс.) @ id:	1.5V @ 100µA
зарад затвора (qg) (макс.) @ vgs:	0.35nC @ 4.5V
уваходная ёмістасць (СНПЧ) (макс.) @ vds:	18.5pF @ 5V
магутнасць - макс:	200mW
Працоўная тэмпература:	-55°C ~ 150°C (TJ)
тып мантажу:	Surface Mount
пакет / чахол:	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
пакет прылады пастаўшчыка:	6-TSSOP

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.