APTM100VDA35T3G

Выява для даведкі, калі ласка, звяжыцеся з намі, каб атрымаць рэальную карціну

Частка вытворцы	APTM100VDA35T3G
Вытворца	Microsemi
Апісанне	MOSFET 2N-CH 1000V 22A SP3
Катэгорыя	дыскрэтныя паўправадніковыя вырабы
Сям'я	транзістары - феты, мосфеты - масівы
Жыццёвы цыкл:	New from this manufacturer.
Дастаўка:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Аплата	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union

Даступнасць

InStock	2 925 510
Цана за адзінку	$ 0.00000

APTM100VDA35T3G Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

APTM100VDA35T3G Тэхнічныя характарыстыкі

Тып	Апісанне
серыял:	POWER MOS 7®
пакет:	Bulk
статус часткі:	Obsolete
фет тыпу:	2 N-Channel (Dual)
асаблівасць fet:	Standard
напружанне ад выхаду да крыніцы (vdss):	1000V (1kV)
ток - бесперапынны сцёк (ід) пры 25°c:	22A
rds на (макс.) @ id, vgs:	420mOhm @ 11A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:	5V @ 2.5mA
зарад затвора (qg) (макс.) @ vgs:	186nC @ 10V
уваходная ёмістасць (СНПЧ) (макс.) @ vds:	5200pF @ 25V
магутнасць - макс:	390W
Працоўная тэмпература:	-40°C ~ 150°C (TJ)
тып мантажу:	Chassis Mount
пакет / чахол:	SP3
пакет прылады пастаўшчыка:	SP3

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.